Бугаёв Александр Степанович

Фото_А.С.Бугаёв
Академик РАН
Член Президиума РАН

Родился в 1947 году.
Образование: Московский физико-технический институт (МФТИ) по специальности — радиофизика и электроника (1971 г.); закончил аспирантуру МФТИ, защитив диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (1974 г.); защитил докторскую диссертацию по теме «Макроскопическая теория взаимодействия ультразвука с волновыми возбуждениями полупроводников и магнитных диэлектриков» (1984 г.); профессор кафедры полупроводниковой электроники Московского физико-технического института (1989 г.); избран членом-корреспондентом РАН (1994 г.); избран действительным членом РАН (2000 г.).
Опыт работы:
1974-1976 гг. — ассистент кафедры полупроводниковой электроники МФТИ;
1976-1989 гг. — доцент МФТИ;
С 1989 г. – по н.в. — профессор МФТИ, заместитель заведующего кафедрой твердотельной электроники и радиофизики;
С 1991 г. – по н.в. — заведующий лабораторией Института радиотехники и электроники имени В.А.Котельникова Российской Академии Наук (ИРЭ РАН);
С 1999 г. – по н.в. — заведующий кафедрой вакуумной электроники МФТИ;
С 2011 г. – по н.в. – заместитель директора ИРЭ имени В.А.Котельникова РАН.
Автор более 200 научных работ и изобретений.
Лауреат премии Ленинского комсомола в области науки; лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники; лауреат Премий Правительства РФ в области науки и техники; лауреат премии Правительства РФ в области образования.